ON相关型号_深圳市芯幂科技有限公司

IGBT NPT 和沟道 1200 V 50 A 312 W 通孔 TO-3P

IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 268 W 通孔 TO-3PN

晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 160 V 700 mA 120MHz 700 mW 通孔 3-NP

晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) PNP - 预偏压 50 V 100 mA 254 mW 表面贴装型 SOT-1123

IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 268 W 通孔 TO-3PN

IGBT NPT 1200 V 35 A 298 W 通孔 TO-220-3

IGBT 430 V 21 A 150 W 通孔 TO-220-3

IGBT 430 V 10 A 130 W 表面贴装型 D2PAK（TO-263）

IGBT 360 V 44 A 187 W 表面贴装型 D2PAK（TO-263）

IGBT 400 V 41 A 150 W 通孔 I2PAK（TO-262）

IGBT 600 V 17 A 70 W 通孔 TO-220-3

晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 50 V 3 A 150MHz 1 W 表面贴装型 TP-FA

IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 469 W 通孔 TO-247-4L

IGBT 沟槽型场截止 650 V 150 A 375 W 通孔 TO-247-3

IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 375 W 通孔 TO-247-3

IGBT 沟槽型场截止 1000 V 80 A 333 W 通孔 TO-247-3

IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 375 W 通孔 TO-247-4L

IGBT 沟槽型场截止 650 V 60 A 238 W 通孔 TO-3PN

- 控制器，DDR 稳压器 IC 2 输出 18-DFN（5x6）

- 控制器，DDR 稳压器 IC 2 输出 18-DFN（5x6）

ON(安森美)的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格是以终端使用（制造工厂、大专院校、研究院所）为主要客户的ON供应商