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HGT1S7N60A4DS
IGBT 600 V 34 A 125 W 表面贴装型 D2PAK（TO-263）
NGD8205NT4
IGBT 390 V 20 A 125 W 表面贴装型 DPAK
NGD8201NT4
IGBT 440 V 20 A 125 W 表面贴装型 DPAK
NGB8206NTF4
IGBT 390 V 20 A 150 W 表面贴装型 D2PAK
NGB8206NT4
NGB8206NG
FGA90N33ATDTU
IGBT 沟道 330 V 90 A 223 W 通孔 TO-3P
NGB8206N
NGB8204NT4G
IGBT 430 V 18 A 115 W 表面贴装型 D2PAK
NGB8204NT4
FGA25N120FTD
IGBT 沟槽型场截止 1200 V 50 A 313 W 通孔 TO-3P
FGA180N33ATTU
IGBT 沟道 330 V 180 A 390 W 通孔 TO-3P
NGB8202NT4
IGBT 440 V 20 A 150 W 表面贴装型 D2PAK
MGB15N40CLT4
IGBT 440 V 15 A 150 W 表面贴装型 D2PAK
NSVT45011MW6T3G
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 2 NPN（双） 45V 100mA 100MHz 380mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363
NSV60101DMR6T2G
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 2 NPN（双） 60V 1A 200MHz 400mW 表面贴装型 SC-74
NSV20200DMTWTBG
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 2 PNP（双） 155MHz 表面贴装型 6-WDFN（2x2）
NSS20200DMTTBG
NSV60101DMR6T1G
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 2 NPN（双） 60V 1A 200MHz 530mW 表面贴装型 SC-74
NSV60100DMTWTBG
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 2 NPN（双） 60V 1A 155MHz 2.27W 表面贴装型 6-WDFN（2x2）
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深圳市芯幂科技有限公司
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