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NTJD1155LT2G
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 8V 400mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363
NTND31225CZTAG
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道互补型 20V 220mA(Ta),127mA(Ta) 125mW(Ta) 表面贴装型 6-XLLGA(0.9x0.65)
NXH040F120MNF1PTG
MOSFET - 阵列 4 个 N 通道 1200V(1.2kV) 30A(Tc) 74W(Tj) 底座安装 22-PIM(33.8x42.5)
EFC2K102NUZTDG
MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共漏 12V 33A(Ta) 3.1W(Ta) 表面贴装型 10-WLCSP(2.98x1.49)
EFC4K105NUZTDG
MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共漏 22V 25A(Ta) 2.5W(Ta) 表面贴装型 10-WLCSP(3.4x1.96)
NXH020P120MNF1PTG
MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共源 1200V(1.2kV) 51A(Tc) 119W(Tj) 底座安装
NXH040P120MNF1PTG
MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共源 1200V(1.2kV) 30A(Tc) 74W 底座安装
EFC4C002NLTDG
MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共漏 2.6W 表面贴装型 8-WLCSP(6x2.5)
FDMD86100
MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共源 100V 10A 2.2W 表面贴装型 8-Power 5x6
FDMC8097AC
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 150V 2.4A(Ta),900mA(Tc) 1.9W 表面贴装型 8-Power33(3x3)
SSU1N50BTU
通孔 N 通道 520 V 1.3A(Tc) 2.5W(Ta),26W(Tc) I-PAK
NVMFD5C674NLWFT1G
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 60V 11A(Ta),42A(Tc) 3W(Ta),37W(Tc) 表面贴装型 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)
NVMFD5C674NLT1G
MC100EL11DR2G
时钟 扇出缓冲器(分配) IC 1:2 1.5 GHz 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
MC100EL15DR2G
时钟 扇出缓冲器(分配),多路复用器 IC 2:4 1.25 GHz 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
NTMFD5C680NLT1G
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 60V 7.5A(Ta),26A(Tc) 3W(Ta),19W(Tc) 表面贴装型 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)
NVMFS6H858NLT1G
表面贴装型 N 通道 80 V 8.7A(Ta),30A(Tc) 3.5W(Ta),42W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
SVD5865NLT4G
表面贴装型 N 通道 60 V 10A(Ta),46A(Tc) 3.1W(Ta),71W(Tc) DPAK-3
NTNS3A92PZT5G
MOSFET P-CH 20V SPCL XLLGA3
NVTFS015P03P8ZTAG
表面贴装型 P 通道 30 V 17A(Ta),88.6A(Tc) 3.2W(Ta),88.2W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
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深圳市芯幂科技有限公司
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