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FQD12N20LTM-F085相关型号

  • MCH6663-TL-H

    MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 1.8A，1.5A 800mW 表面贴装型 6-MCPH

  • DM74LS377N

    触发器 1 元件 D 型 8 位 正边沿 20-DIP（0.300"，7.62mm）

  • DM74LS174M

    触发器 1 元件 D 型 6 位 正边沿 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

  • DM74AS874NT

    触发器 2 元件 D 型 4 位 正边沿 24-DIP（0.300"，7.62mm）

  • MCH6662-TL-H

    MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 20V 2A 800mW 表面贴装型 6-MCPH

  • MCH6660-TL-H

    MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 2A，1.5A 800mW 表面贴装型 6-MCPH

  • EMH2411R-TL-H

    MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）共漏 30V 5A 1.4W 表面贴装型 8-EMH

  • EMH2314-TL-H

    MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 12V 5A 1.2W 表面贴装型 8-EMH

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • FQD12N20LTM-F085

  • 制造商：onsemi / Fairchild
  • 批号：最新的
  • 描述：MOSFET Trans MOS N-Ch 200V 9A 3-Pin 2+Tab
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：13347

优势价格，FQD12N20LTM-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 技术Si
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TO-252-3
  • 晶体管极性N-Channel
  • 通道数量1 Channel
  • Vds-漏源极击穿电压200 V
  • Id-连续漏极电流9 A
  • Rds On-漏源导通电阻280 mOhms
  • Vgs - 栅极-源极电压- 20 V, + 20 V
  • Vgs th-栅源极阈值电压2 V
  • Qg-栅极电荷16 nC
  • 最小工作温度- 55 C
  • 最大工作温度+ 150 C
  • Pd-功率耗散2.5 W
  • 通道模式Enhancement
  • 资格
  • 商标名
  • 封装Reel, Cut Tape, MouseReel

其它信息

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