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FCH041N65F-F085相关型号
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ON(安森美)热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • FCH041N65F-F085

  • 制造商:onsemi / Fairchild
  • 批号:最新的
  • 描述:MOSFET 650V N-Channel SuperFET II MOSFET
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:418

优势价格,FCH041N65F-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 技术Si
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-247-3
  • 晶体管极性N-Channel
  • 通道数量1 Channel
  • Vds-漏源极击穿电压650 V
  • Id-连续漏极电流76 A
  • Rds On-漏源导通电阻96 mOhms
  • Vgs - 栅极-源极电压- 20 V, + 20 V
  • Vgs th-栅源极阈值电压3 V
  • Qg-栅极电荷234 nC
  • 最小工作温度- 55 C
  • 最大工作温度+ 150 C
  • Pd-功率耗散595 W
  • 通道模式Enhancement
  • 资格AEC-Q101
  • 商标名SuperFET II
  • 封装Tube

其它信息

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