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FDP023N08B_F102相关型号

  • MC74LVX541MELG

    缓冲器，非反向 1 元件 8 位每元件 三态 Output SOEIAJ-20

  • FDMS8660S

    表面贴装型 N 通道 30 V 25A（Ta），40A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） 8-PQFN（5x6）

  • FDFS6N754

    表面贴装型 N 通道 30 V 4A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SOIC

  • MC74LVX541MEL

    缓冲器，非反向 1 元件 8 位每元件 三态 Output SOEIAJ-20

  • MC74LVX541M

    缓冲器，非反向 1 元件 8 位每元件 三态 Output SOEIAJ-20

  • MC74LVX541DW

    缓冲器，非反向 1 元件 8 位每元件 三态 Output 20-SOIC

  • MC74LVX541DTR2

    缓冲器，非反向 1 元件 8 位每元件 三态 Output 20-TSSOP

  • MC74LVX540MG

    缓冲器，反向 1 元件 8 位每元件 三态 Output SOEIAJ-20

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • FDP023N08B_F102

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：onsemi, PowerTrench系列, 场效应管Mosfet, NMOS, TO-220封装
  • PDF下载：
  • 库存数量：999998

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详细参数

  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流242 A
  • 最大漏源电压75 V
  • 封装类型TO-220
  • 最大漏源电阻值2.3 mΩ
  • 安装类型通孔
  • 引脚数目3
  • 最大栅源电压-20 V、+20 V
  • 通道模式增强
  • 最大栅阈值电压-
  • 最小栅阈值电压2V
  • 最大功率耗散245 W
  • 晶体管配置单
  • 类别-

其它信息

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