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FCH150N65F_F155相关型号

  • P5P2305AF-1-08SR

    Zero Delay Buffer IC 133MHz 1 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

  • P5P2304AF-2-08SR

    IC 133MHz 1 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

  • P5P2304AF-1H08SR

    IC 133MHz 1 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

  • P5P2304AF-1-08SR

    IC 133MHz 1 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

  • HUF75639P3-F102

    通孔 N 通道 100 V 56A（Tc） 200W（Tc） TO-220-3

  • FDS6982AS

    MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 6.3A，8.6A 900mW 表面贴装型 8-SOIC

  • FDR8308P

    MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 3.2A 800mW 表面贴装型 SuperSOT?-8

  • FDC6304P

    MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 25V 460mA 700mW 表面贴装型 SuperSOT?-6

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • FCH150N65F_F155

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：onsemi, SuperFET II系列, 场效应管Mosfet, NMOS, TO-247封装
  • PDF下载：
  • 库存数量：999999

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详细参数

  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流24 A
  • 最大漏源电压650 V
  • 封装类型TO-247
  • 最大漏源电阻值150 mΩ
  • 安装类型通孔
  • 引脚数目3
  • 最大栅源电压-30 V、+30 V
  • 通道模式增强
  • 最大栅阈值电压-
  • 最小栅阈值电压3V
  • 最大功率耗散298 W
  • 晶体管配置单
  • 类别-

其它信息

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