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MCR08BT1G相关型号

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ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • MCR08BT1G

  • 制造商：ON Semiconductor
  • 批号：最新的
  • 描述：Diode,SCR,Vr 200V,If 0.8A,Pkg SOT-223 (TO-261),Vf 1.7V,I2T 0.4A2s,Tj +110degc
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • Blocking Voltage600 V
  • Current Squared Time Rating0.4 A2s
  • Dimensions6.70 x 3.70 x 1.65 mm
  • Forward Current0.8 A
  • Forward Voltage1.7 V
  • Gate Trigger Current200 μA
  • Gate Trigger Voltage0.8 V
  • Height0.065" (1.65mm)
  • Holding Current5 mA
  • Length0.263 in
  • Maximum Junction Temperature+110 °C
  • Maximum On State Current0.8 A
  • Maximum On State Voltage1.7 V
  • Maximum Operating Temperature+110 °C
  • Minimum Operating Temperature-40 °C
  • Mounting TypeSurface Mount
  • Number of Pins4
  • Off State Voltage600 V
  • Operating Temperature-40 to +110 °C
  • Package TypeSOT-223
  • Primary TypeSensitive
  • Product HeaderSensitive Gate Silicon Controlled Rectifier
  • Repetitive Off State Peak Current200 μA
  • Repetitive Peak Voltage600 V
  • Surge Current8 A
  • Temperature Operating Range-40 to +110 °C
  • Thyristor TypeSCR
  • Width0 in

其它信息

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