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NCV20074DR2G相关型号
  • FQB6N60TM

    表面贴装型 N 通道 600 V 6.2A(Tc) 3.13W(Ta),130W(Tc) D2PAK(TO-263)

  • FQI32N20CTU

    通孔 N 通道 200 V 28A(Tc) 3.13W(Ta),156W(Tc) I2PAK(TO-262)

  • FQP32N12V2

    通孔 N 通道 120 V 32A(Tc) 150W(Tc) TO-220-3

  • HUFA75823D3ST

    表面贴装型 N 通道 150 V 14A(Tc) 85W(Tc) TO-252AA

  • FQI19N20TU

    通孔 N 通道 200 V 19.4A(Tc) 3.13W(Ta),140W(Tc) I2PAK(TO-262)

  • FQAF33N10

    通孔 N 通道 100 V 25.8A(Tc) 83W(Tc) TO-3PF

  • FQAF33N10L

    通孔 N 通道 100 V 25.8A(Tc) 83W(Tc) TO-3PF

  • 74VHC541N

    缓冲器,非反向 1 元件 8 位每元件 三态 Output 20-PDIP

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • NCV20074DR2G

  • 制造商:onsemi
  • 批号:最新的
  • 描述:通用 放大器 4 电路 满摆幅 14-SOIC
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:52070

优势价格,NCV20074DR2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装卷带(TR)
  • 放大器类型通用
  • 电路数4
  • 输出类型满摆幅
  • 压摆率2.4V/μs
  • 增益带宽积3.2 MHz
  • 电流 - 输入偏置5 pA
  • 电压 - 输入补偿1.3 mV
  • 电流 - 供电420μA(x4 通道)
  • 电流 - 输出/通道65 mA
  • 电压 - 跨度(最小值)2.7 V
  • 电压 - 跨度(最大值)36 V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装14-SOIC

其它信息

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