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FFSH20120ADN-F155相关型号
  • 74ABT2240CSC

    缓冲器,反向 2 元件 4 位每元件 三态 Output 20-SOIC

  • FQI32N12V2TU

    通孔 N 通道 120 V 32A(Tc) 3.75W(Ta),150W(Tc) I2PAK(TO-262)

  • FQB14N30TM

    表面贴装型 N 通道 300 V 14.4A(Tc) 3.13W(Ta),147W(Tc) D2PAK(TO-263)

  • HUF75332S3ST

    表面贴装型 N 通道 55 V 60A(Tc) 145W(Tc) D2PAK(TO-263)

  • FQA33N10

    通孔 N 通道 100 V 36A(Tc) 163W(Tc) TO-3P

  • FQAF12P20

    通孔 P 通道 200 V 8.6A(Tc) 70W(Tc) TO-3PF

  • 74VCX2245BQX

    收发器,非反相 1 元件 8 位每元件 三态 Output 20-DQFN(2.5x4.5)

  • FQAF19N20L

    通孔 N 通道 200 V 16A(Tc) 85W(Tc) TO-3PF

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • FFSH20120ADN-F155

  • 制造商:onsemi
  • 批号:最新的
  • 描述:二极管阵列 1 对共阴极 碳化硅肖特基 1200 V 10A(DC) 通孔 TO-247-3
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:433

优势价格,FFSH20120ADN-F155的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装管件
  • 二极管配置1 对共阴极
  • 二极管类型碳化硅肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)1200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)10A(DC)
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.75 V @ 10 A
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏200 μA @ 1200 V
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 175°C
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商器件封装TO-247-3

其它信息

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