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SBE805-TL-W相关型号

  • FDMS3606AS

    MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）非对称型 30V 13A，27A 1W 表面贴装型 Power56

  • 74ACT823SCX

    触发器 1 元件 D 型 9 位 正边沿 24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）

  • 74ACT574SJ

    触发器 1 元件 D 型 8 位 正边沿 20-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）

  • 74ACT273SJ

    触发器 1 元件 D 型 8 位 正边沿 20-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）

  • 74ACQ574SJ

    触发器 1 元件 D 型 8 位 正边沿 20-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）

  • NVMTS6D0N15MC

    表面贴装型 N 通道 150 V 18A（Ta），128A（Tc） 5W（Ta），237W（Tc） 8-DFNW（8.3x8.4）

  • MC74AC245DTG

    收发器，非反相 1 元件 8 位每元件 三态 Output 20-TSSOP

  • MC74VHCT244ADTG

    缓冲器，非反向 2 元件 4 位每元件 三态 Output 20-TSSOP

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • SBE805-TL-W

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：二极管阵列 2 个独立式 肖特基 30 V 500mA 表面贴装型 SC-74A，SOT-753
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5990

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装卷带（TR）
  • 二极管配置2 个独立式
  • 二极管类型肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）30 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）500mA
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)550 mV @ 500 mA
  • 速度快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
  • 反向恢复时间 (trr)10 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏30 μA @ 15 V
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SC-74A，SOT-753
  • 供应商器件封装5-CPH

其它信息

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