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1N5908RL4G相关型号

  • 2SK771-5-TB-E

    JFET N 通道 20 mA 200 mW 表面贴装型 3-CP

  • 2SK3666-3-TB-E

    JFET N 通道 10 mA 200 mW 表面贴装型 SMCP

  • MMBF4393

    JFET N 通道 30 V 350 mW 表面贴装型 SOT-23-3

  • U1898_D27Z

    JFET N 通道 40 V 625 mW 通孔 TO-92-3

  • TIS75_J35Z

    JFET N 通道 30 V 350 mW 通孔 TO-92-3

  • NCV303150MTW

    高压侧和低压侧 栅极驱动器 IC 非反相 39-WQFNW（5x6）

  • TIS75_D75Z

    JFET N 通道 30 V 350 mW 通孔 TO-92-3

  • TIS75_D26Z

    JFET N 通道 30 V 350 mW 通孔 TO-92-3

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • 1N5908RL4G

  • 制造商：ONSEMI
  • 批号：最新的
  • 描述：TVS Diode Single Uni-Dir 5V 1.5KW 2-Pin Case 41A-04 T/R
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • Clamping Voltage8.5(V)
  • Leakage Current (Max)0.3(uA)
  • MountingThrough Hole
  • Operating Temp Range-65C to 175C
  • Package TypeCase 41A-04
  • PackagingTape and Reel
  • Pin Count2
  • PolarityUni-Directional
  • Number of Elements1
  • Operating Temperature ClassificationMilitary
  • Peak Pulse Power Dissipation1500(W)
  • Reverse Breakdown Voltage6(V)
  • Peak Pulse Current8(A)
  • Reverse Stand-off Voltage 5(V)
  • Test Current (It)1(mA)
  • Rad HardenedNo

其它信息

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