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P6SMB130AT3G相关型号

  • FDS6294..

    功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 13 A, 0.0113 ohm, SOIC, 表面安装

  • NTMD4840NR2G.

    双路场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 5.5 A, 0.016 ohm, SOIC, 表面安装

  • FQP8P10.

    功率场效应管, MOSFET, P通道, 100 V, 8 A, 0.41 ohm, TO-220, 通孔

  • PCP1302-TD-H.

    场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, -3A, SOT-89-3

  • ATP114-TL-H.

    场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, -55A, ATPAK-3

  • CPH3462-TL-W.

    场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 1A, CPH-3

  • NTJS4151PT1G.

    场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 4.2A, SC-88

  • FDD6637.

    场效应管, MOSFET, P沟道, -35V, -13A

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • P6SMB130AT3G

  • 制造商：ONSEMI
  • 批号：最新的
  • 描述：TVS Diode Single Uni-Dir 111V 600W Automotive 2-Pin SMB T/R
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

优势价格，P6SMB130AT3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • Clamping Voltage179(V)
  • Leakage Current (Max)0.005(uA)
  • MountingSurface Mount
  • Operating Temp Range-65C to 150C
  • Package TypeSMB
  • PackagingTape and Reel
  • Pin Count2
  • PolarityUni-Directional
  • Number of Elements1
  • Operating Temperature ClassificationMilitary
  • Peak Pulse Power Dissipation600(W)
  • Reverse Breakdown Voltage124(V)
  • Peak Pulse Current3.3(A)
  • Reverse Stand-off Voltage 111(V)
  • Test Current (It)1(mA)
  • Rad HardenedNo
  • Mounting StyleSurface Mount
  • Operating Temperature Max Deg. C150C
  • Operating Temperature Min Deg. C-65C
  • Product Length (mm)4.32 mm
  • Product Depth (mm)3.56 mm
  • Product Height (mm)2.2 mm
  • Suppressor TypeTVS
  • ConfigurationSingle
  • Direction TypeUni-Directional
  • Leakage Current5uA

其它信息

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