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SMBJ90A相关型号

  • MJD5731T4G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 350 V 1 A 10MHz 1.56 W 表面贴装型 DPAK

  • MJD44E3T4G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN - 达林顿 80 V 10 A 1.75 W 表面贴装型 DPAK

  • TIP42BG

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 80 V 6 A 3MHz 2 W 通孔 TO-220

  • KSB1151YS

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 60 V 5 A 1.3 W 通孔 TO-126-3

  • TIP50G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 400 V 1 A 10MHz 2 W 通孔 TO-220

  • TIP32AG

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 60 V 3 A 3MHz 2 W 通孔 TO-220

  • TIP115G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP - 达林顿 60 V 2 A 2 W 通孔 TO-220

  • TIP127G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP - 达林顿 100 V 5 A 2 W 通孔 TO-220

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • SMBJ90A

  • 制造商：ONSEMI
  • 批号：最新的
  • 描述：TVS Diode Single Uni-Dir 90V 600W 2-Pin SMB
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • Clamping Voltage146(V)
  • Package TypeSMB
  • Pin Count2
  • Peak Pulse Power Dissipation600(W)
  • Reverse Breakdown Voltage100(V)
  • Peak Pulse Current4.3(A)
  • Reverse Stand-off Voltage 90(V)
  • MountingSurface Mount
  • Operating Temperature ClassificationMilitary
  • PolarityUni-Directional
  • Operating Temp Range-65C to 150C
  • PackagingTape and Reel
  • Rad HardenedNo
  • Test Current (It)1(mA)
  • Number of Elements1
  • Leakage Current (Max)0.005(uA)

其它信息

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