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FDB7030BL-ON相关型号

  • BC238BBU

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 25 V 100 mA 250MHz 500 mW 通孔 TO-92-3

  • BC237TFR

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 100 mA 250MHz 500 mW 通孔 TO-92-3

  • EMD5DXV6T1G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 50V 100mA 500mW 表面贴装型 SOT-563

  • EMC4DXV5T1G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 50V 100mA 500mW 表面贴装型 SOT-553

  • BDW23CTU

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 100 V 6 A 50 W 通孔 TO-220-3

  • EMC5DXV5T1

    晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 50V 100mA 500mW 表面贴装型 SOT-553

  • EMC2DXV5T1

    晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 50V 100mA 500mW 表面贴装型 SOT-553

  • EMA6DXV5T1

    晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 2 个 PNP 预偏压式（双） 50V 100mA 230mW 表面贴装型 SOT-553

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • FDB7030BL-ON

  • 制造商：onsemi(安森美)
  • 批号：最新的
  • 描述：
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  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 商品目录场效应管(MOSFET)
  • 类型N沟道
  • 漏源电压(Vdss)30V
  • 连续漏极电流(Id)60A
  • 功率(Pd)60W
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)18mΩ@30A,10V
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
  • 栅极电荷(Qg@Vgs)24nC@5V
  • 输入电容(Ciss@Vds)1.76nF@15V
  • 工作温度-65℃~+175℃@(Tj)

其它信息

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