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IRFW640BTM相关型号
ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • IRFW640BTM

  • 制造商：onsemi(安森美)
  • 批号：最新的
  • 描述：
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  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 商品目录场效应管(MOSFET)
  • 类型N沟道
  • 漏源电压(Vdss)200V
  • 连续漏极电流(Id)18A
  • 功率(Pd)3.13W
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)180mΩ@9A,10V
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
  • 栅极电荷(Qg@Vgs)58nC@10V
  • 输入电容(Ciss@Vds)1.7nF@25V
  • 工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

其它信息

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