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N02L6181AB27I相关型号

  • 74LCX74BQX

    触发器 2 元件 D 型 1 位 正边沿 14-VFQFN 裸露焊盘

  • 74VHC574MTCX

    触发器 1 元件 D 型 8 位 正边沿 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）

  • 74VHC175MTCX

    触发器 1 元件 D 型 4 位 正边沿 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）

  • NTGD4161PT1G

    MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 30V 1.5A 600mW 表面贴装型 6-TSOP

  • FDW2508PB

    MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 12V 6A 1W 表面贴装型 8-TSSOP

  • MM74HCT273MTC

    触发器 1 元件 D 型 8 位 正边沿 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）

  • 74VHC273MTC

    触发器 1 元件 D 型 8 位 正边沿 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）

  • 74LCX74M

    触发器 2 元件 D 型 1 位 正边沿 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • N02L6181AB27I

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：SRAM - 异步 存储器 IC 2Mb（128K x 16） 并联 70 ns 48-BGA（6x8）
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

优势价格，N02L6181AB27I的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 异步
  • 存储容量2Mb（128K x 16）
  • 存储器接口并联
  • 写周期时间 - 字，页70ns
  • 访问时间70 ns
  • 电压 - 供电1.65V ~ 2.2V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C（TA）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳48-LFBGA
  • 供应商器件封装48-BGA（6x8）

其它信息

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