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SSR4N60BTM相关型号
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ON(安森美)热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • SSR4N60BTM

  • 制造商:onsemi(安森美)
  • 批号:最新的
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  • 库存数量:5000+

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详细参数

  • 商品目录场效应管(MOSFET)
  • 类型N沟道
  • 漏源电压(Vdss)600V
  • 连续漏极电流(Id)2.8A
  • 功率(Pd)49W;2.5W
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.5Ω@1.4A,10V
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
  • 栅极电荷(Qg@Vgs)29nC@10V
  • 输入电容(Ciss@Vds)920pF@25V
  • 工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

其它信息

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