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MMBF170LT1G.相关型号

  • NTHD3100CT1G.

    场效应管, MOSFET, 双P沟道, -20V, 1206A, 整卷

  • FDG6304P.

    场效应管, MOSFET, P沟道, -25V, -410mA, SC-70, 整卷

  • NTMD3P03R2G.

    场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, SOIC

  • NTR4170NT1G.

    场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 4A, SOT-23, 整卷

  • NTJD1155LT1G.

    场效应管, MOSFET, P沟道, -8V, SC-88

  • MMBF170LT1G.

    场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 500mA SOT-23

  • MMBFJ201....

    场效应管, JFET, N沟道, -40V, SOT-23

  • NTH4L020N090SC1.

    碳化硅场效应管, MOSFET 900V TO247-4L 20MΩ

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • MMBF170LT1G.

  • 制造商：ONSEMI
  • 批号：最新的
  • 描述：场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 500mA SOT-23
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 通道类型N Channel
  • 漏源电压, Vds60V
  • 电流, Id 连续500mA
  • 漏源接通状态电阻5ohm

其它信息

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