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NM27C040Q120相关型号
  • AR0130CSSC00SPBA0-DP

    带处理器的 CMOS 图像传感器 1280H x 960V 3.75μm x 3.75μm 48-PLCC(11.43x11.43)

  • MT9V024IA7XTR-DR

    带处理器的 CMOS 图像传感器 752H x 480V 6μm x 6μm 52-IBGA(9x9)

  • MT9V024IA7XTR-DP

    带处理器的 CMOS 图像传感器 752H x 480V 6μm x 6μm 52-IBGA(9x9)

  • MT9V034C12STM-TR

    带处理器的 CMOS 图像传感器 752H x 480V 6μm x 6μm 48-CLCC(11.43x11.43)

  • FDB088N08

    表面贴装型 N 通道 75 V 120A(Tc) 160W(Tc) D2PAK(TO-263)

  • FCP650N80Z

    通孔 N 通道 800 V 10A(Tc) 162W(Tc) TO-220

  • NTTFS3A08PZTWG

    表面贴装型 P 通道 20 V 9A(Ta) 840mW(Ta) 8-WDFN(3.3x3.3)

  • FDMC8854

    表面贴装型 N 通道 30 V 15A(Tc) 2W(Ta),41W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • NM27C040Q120

  • 制造商:onsemi
  • 批号:最新的
  • 描述:EPROM - UV 存储器 IC 4Mb(512K x 8) 并联 120 ns 32-CDIP
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:5000+

优势价格,NM27C040Q120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装管件
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式EPROM
  • 技术EPROM - UV
  • 存储容量4Mb(512K x 8)
  • 存储器接口并联
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间120 ns
  • 电压 - 供电4.5V ~ 5.5V
  • 工作温度0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳32-CDIP(0.685",17.40mm)窗口
  • 供应商器件封装32-CDIP

其它信息

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