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LE25U20AQGTXG相关型号

  • MCH6663-TL-H

    MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 1.8A，1.5A 800mW 表面贴装型 6-MCPH

  • DM74LS377N

    触发器 1 元件 D 型 8 位 正边沿 20-DIP（0.300"，7.62mm）

  • DM74LS174M

    触发器 1 元件 D 型 6 位 正边沿 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

  • DM74AS874NT

    触发器 2 元件 D 型 4 位 正边沿 24-DIP（0.300"，7.62mm）

  • MCH6662-TL-H

    MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 20V 2A 800mW 表面贴装型 6-MCPH

  • MCH6660-TL-H

    MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 2A，1.5A 800mW 表面贴装型 6-MCPH

  • EMH2411R-TL-H

    MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）共漏 30V 5A 1.4W 表面贴装型 8-EMH

  • EMH2314-TL-H

    MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 12V 5A 1.2W 表面贴装型 8-EMH

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • LE25U20AQGTXG

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：闪存 存储器 IC 2Mb（256K x 8） SPI 30 MHz 8-WDFN（2x3）
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5700

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装卷带（TR）
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术闪存
  • 存储容量2Mb（256K x 8）
  • 存储器接口SPI
  • 时钟频率30 MHz
  • 写周期时间 - 字，页5ms
  • 电压 - 供电2.3V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C（TA）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-WFDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装8-WDFN（2x3）

其它信息

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