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CNY17-3SR2V-M相关型号

  • P5P2305AF-1-08SR

    Zero Delay Buffer IC 133MHz 1 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

  • P5P2304AF-2-08SR

    IC 133MHz 1 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

  • P5P2304AF-1H08SR

    IC 133MHz 1 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

  • P5P2304AF-1-08SR

    IC 133MHz 1 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

  • HUF75639P3-F102

    通孔 N 通道 100 V 56A（Tc） 200W（Tc） TO-220-3

  • FDS6982AS

    MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 6.3A，8.6A 900mW 表面贴装型 8-SOIC

  • FDR8308P

    MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 3.2A 800mW 表面贴装型 SuperSOT?-8

  • FDC6304P

    MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 25V 460mA 700mW 表面贴装型 SuperSOT?-6

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • CNY17-3SR2V-M

  • 制造商：ONSEMI
  • 批号：最新的
  • 描述：Optocoupl DC-IN 1-CH Trans W/Base DC-OUT 6-Pin PDIP W SMD T/R
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • Collector-Emitter Voltage70 V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage0.4 V
  • Power Dissipation0.25 W
  • MountingSurface Mount
  • Operating Temp Range-55C to 100C
  • Output TypeDC
  • Package TypePDIP W SMD
  • PackagingTape and Reel
  • Pin Count6
  • Rise Time6000 ns
  • Number of Elements1
  • Input TypeDC
  • Operating Temperature ClassificationIndustrial
  • Forward Voltage1.65 V
  • Forward Current60 mA
  • Isolation Voltage5250 V
  • Reverse Breakdown Voltage6 V
  • Current Transfer Ratio200 %
  • Fall Time24000 ns
  • Output DeviceTransistor With Base
  • Rad HardenedNo

其它信息

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