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BS170_D26Z相关型号

  • FGB20N60SFD-F085

    IGBT 场截止 600 V 40 A 208 W 表面贴装型 D2PAK（TO-263）

  • FJN4302RBU

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) PNP - 预偏压 50 V 100 mA 200 MHz 300 mW 通孔 TO-92-3

  • FJN4310RTA

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) PNP - 预偏压 40 V 100 mA 200 MHz 300 mW 通孔 TO-92-3

  • FJN4309RBU

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) PNP - 预偏压 40 V 100 mA 200 MHz 300 mW 通孔 TO-92-3

  • FJN3304RBU

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 250 MHz 300 mW 通孔 TO-92-3

  • KSA733CYTA

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 50 V 150 mA 180MHz 250 mW 通孔 TO-92-3

  • KSH42CTM

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 100 V 6 A 3MHz 20 W 表面贴装型 D-Pak

  • FJN3303FTA

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 400 V 1.5 A 4MHz 650 mW 通孔 TO-92-3

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • BS170_D26Z

  • 制造商：ONSEMI
  • 批号：最新的
  • 描述：Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：6000

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详细参数

  • Continuous Drain Current0.5(A)
  • Package TypeTO-92
  • Pin Count3
  • Power Dissipation0.35(W)
  • MountingThrough Hole
  • Operating Temperature ClassificationMilitary
  • Operating Temp Range-55C to 150C
  • PackagingTape and Reel
  • TypeSmall Signal
  • Rad HardenedNo
  • PolarityN
  • Channel ModeEnhancement
  • Gate-Source Voltage (Max)'±20(V)
  • Drain-Source On-Volt60(V)
  • Number of Elements1

其它信息

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