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FMM7G30US60I相关型号
  • AR0220AT4B00XUEA2-TRBR

    CMOS 图像传感器 1820H x 940V 4.2μm x 4.2μm 87-IBGA(12x9)

  • AR0138AT4B00XUEA0-DRBR

    CMOS 图像传感器 1288H x 968V 4.2μm x 4.2μm 109-IBGA(10x9)

  • AR0220AT4R00XUEA1-DRBM

    CMOS 图像传感器 1820H x 940V 4.2μm x 4.2μm 87-IBGA(12x9)

  • NTMYS010N04CLTWG

    表面贴装型 N 通道 40 V 14A(Ta),38A(Tc) 3.8W(Ta),28W(Tc) LFPAK4(5x6)

  • NTMFS5C450NT1G

    表面贴装型 N 通道 40 V 24A(Ta),102A(Tc) 3.6W(Ta),68W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)

  • NVMYS3D3N06CLTWG

    表面贴装型 N 通道 60 V 26A(Ta),133A(Tc) 3.9W(Ta),100W(Tc) LFPAK4(5x6)

  • NTMJS1D6N06CLTWG

    表面贴装型 N 通道 60 V 38A(Ta),250A(Tc) 3.8W(Ta),167W(Tc) 8-LFPAK

  • NTMJS1D5N04CLTWG

    表面贴装型 N 通道 40 V 38A(Ta),200A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) 8-LFPAK

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • FMM7G30US60I

  • 制造商:onsemi(安森美)
  • 批号:最新的
  • 描述:
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  • 库存数量:5000+

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详细参数

  • 商品目录IGBT管/模块
  • IGBT类型-
  • 集射极击穿电压(Vces)600V
  • 集电极电流(Ic)30A
  • 功率(Pd)104W
  • 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)2.7V@15V,30A
  • 输入电容(Cies@Vce)2.1nF@30V
  • 工作温度-40℃~+150℃@(Tj)

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