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P6SMB68CAT3G相关型号

  • FDS8984

    MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 7A 1.6W 表面贴装型 8-SOIC

  • NB3V1104CMTTBG

    时钟 扇出缓冲器（分配） IC 1：4 250 MHz 8-WFDFN

  • FDC6312P

    MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 2.3A 700mW 表面贴装型 SuperSOT?-6

  • FDG6306P

    MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 600mA 300mW 表面贴装型 SC-88（SC-70-6）

  • FDG6304P

    MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 25V 410mA 300mW 表面贴装型 SC-88（SC-70-6）

  • NTJD1155LT1G

    MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 8V 1.3A 400mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363

  • NTJD4152PT1G

    MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 880mA 272mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363

  • NTZD3152PT1G

    MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 430mA 250mW 表面贴装型 SOT-563

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • P6SMB68CAT3G

  • 制造商：ONSEMI
  • 批号：最新的
  • 描述：TVS Diode Single Bi-Dir 58.1V 600W Automotive 2-Pin SMB T/R
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • Clamping Voltage92(V)
  • Leakage Current (Max)0.005(uA)
  • MountingSurface Mount
  • Operating Temp Range-65C to 150C
  • Package TypeSMB
  • PackagingTape and Reel
  • Pin Count2
  • PolarityBi-Directional
  • Number of Elements1
  • Operating Temperature ClassificationMilitary
  • Peak Pulse Power Dissipation600(W)
  • Reverse Breakdown Voltage64.6(V)
  • Peak Pulse Current6.5(A)
  • Reverse Stand-off Voltage 58.1(V)
  • Test Current (It)1(mA)
  • Rad HardenedNo

其它信息

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