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NXH400N100H4Q2F2SG-R相关型号
  • MM74HCT74MTCX

    触发器 2 元件 D 型 1 位 正边沿 14-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)

  • NVMFS6H858NT1G

    表面贴装型 N 通道 80 V 8.4A(Ta),29A(Tc) 3.5W(Ta),42W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)

  • NVTFWS002N04CTAG

    表面贴装型 N 通道 40 V 27A(Ta),136A(Tc) 3.2W(Ta),85W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)

  • NVTYS003N04CLTWG

    表面贴装型 N 通道 40 V 23A(Ta),106A(Tc) 3.2W(Ta),69W(Tc) 8-LFPAK

  • NVMFS5C442NWFET1G

    表面贴装型 N 通道 40 V 29A(Ta),140A(Tc) 3.7W(Ta),83W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)

  • NVMFS5C442NLWFET1G

    表面贴装型 N 通道 40 V 28A(Ta),130A(Tc) 3.7W(Ta),83W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)

  • NVTYS003N04CTWG

    表面贴装型 N 通道 40 V 21A(Ta),99A(Tc) 3.2W(Ta),69W(Tc) 8-LFPAK

  • NVMFS003P03P8ZT1G

    表面贴装型 P 通道 30 V 35.7A(Ta),234A(Tc) 3.9W(Ta),168.7W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • NXH400N100H4Q2F2SG-R

  • 制造商:onsemi
  • 批号:最新的
  • 描述:IGBT 模块 MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK INPC-400A
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:24

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详细参数

  • 产品Si/SiC Hybrid Modules
  • 配置Triple
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO1 kV
  • 集电极—射极饱和电压1.77 V
  • 在25 C的连续集电极电流409 A
  • 栅极—射极漏泄电流2 uA
  • Pd-功率耗散959 W
  • 封装 / 箱体PIM-44
  • 最小工作温度- 40 C
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 封装Tray

其它信息

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