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NXH200B100H4F2SG-R相关型号

  • FQPF2N50

    通孔 N 通道 500 V 1.3A（Tc） 20W（Tc） TO-220F-3

  • 74LCX540SJ

    缓冲器，反向 1 元件 8 位每元件 三态 Output 20-SOP

  • 74LCX241SJX

    缓冲器，非反向 2 元件 4 位每元件 三态 Output 20-SOP

  • 74LCX241SJ

    缓冲器，非反向 2 元件 4 位每元件 三态 Output 20-SOP

  • 74LCX16652MTDX

    收发器，非反相 2 元件 8 位每元件 三态 Output 56-TSSOP

  • 74LCX16652MTD

    收发器，非反相 2 元件 8 位每元件 三态 Output 56-TSSOP

  • 74LCX16652MEAX

    收发器，非反相 2 元件 8 位每元件 三态 Output 56-SSOP

  • 74LCX16652MEA

    收发器，非反相 2 元件 8 位每元件 三态 Output 56-SSOP

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NXH200B100H4F2SG-R

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：IGBT 模块 1500V F2 BOOST FOR SOLAR PIM
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：19

优势价格，NXH200B100H4F2SG-R的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 产品Boost Power Modules
  • 配置
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO1 kV
  • 集电极—射极饱和电压1.8 V
  • 在25 C的连续集电极电流100 A
  • 栅极—射极漏泄电流800 nA
  • Pd-功率耗散93 W
  • 封装 / 箱体F2
  • 最小工作温度- 40 C
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 封装Tray

其它信息

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