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NXH450B100H4Q2F2PG-R相关型号
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ON(安森美)热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • NXH450B100H4Q2F2PG-R

  • 制造商:onsemi
  • 批号:最新的
  • 描述:IGBT 模块 1000V,75A FSIII IGBT, MID SPEED WITH RUGGED ANTI-PARALLEL DIODES IN PRESS FIT PINS
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:36

优势价格,NXH450B100H4Q2F2PG-R的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 产品Si/SiC Hybrid Modules
  • 配置Triple
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO1 kV
  • 集电极—射极饱和电压1.7 V
  • 在25 C的连续集电极电流101 A
  • 栅极—射极漏泄电流800 nA
  • Pd-功率耗散234 W
  • 封装 / 箱体PIM-56
  • 最小工作温度- 40 C
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 封装Tray

其它信息

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