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NVMYS4D5N04CTWG相关型号

  • BCP53-16T3G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 80 V 1.5 A 50MHz 1.5 W 表面贴装型 SOT-223（TO-261）

  • NSS1C201MZ4T3G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 100 V 2 A 100MHz 800 mW 表面贴装型 SOT-223（TO-261）

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    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 1 A 300MHz 625 mW 通孔 TO-92-3

  • 2N4401TAR

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 250MHz 625 mW 通孔 TO-92-3

  • PN2907ATA

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 60 V 800 mA 200MHz 625 mW 通孔 TO-92-3

  • 2N4403TF

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 40 V 600 mA 200MHz 625 mW 通孔 TO-92-3

  • KSC945YTA

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 50 V 150 mA 300MHz 250 mW 通孔 TO-92-3

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NVMYS4D5N04CTWG

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：MOSFET Power MOSFET 40 V, 4.5m?, 80 A, Single N-Channel 关于onsemi nvmys4d5n04c mosfets 的信息
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2980

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详细参数

  • 技术Si
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体LFPAK-4
  • 晶体管极性N-Channel
  • 通道数量1 Channel
  • Vds-漏源极击穿电压40 V
  • Id-连续漏极电流80 A
  • Rds On-漏源导通电阻4.5 mOhms
  • Vgs - 栅极-源极电压- 20 V, + 20 V
  • Vgs th-栅源极阈值电压3.5 V
  • Qg-栅极电荷18 nC
  • 最小工作温度- 55 C
  • 最大工作温度+ 175 C
  • Pd-功率耗散55 W
  • 通道模式Enhancement
  • 资格
  • 商标名
  • 封装Reel, Cut Tape

其它信息

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