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PCFF55H120SWF相关型号

  • FDMD8260LET60

    MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 60V 15A 1.1W 表面贴装型 12-Power3.3x5

  • VEC2616-TL-H-Z

    MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 60V 3A，2.5A 1W 表面贴装型 SOT-28FL/VEC8

  • NTMFD4C20NT3G

    MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 9.1A，13.7A 1.09W，1.15W 表面贴装型 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道-非对称）

  • MC10EP35D

    触发器 1 元件 JK 型 1 位 正边沿 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

  • MC10EP35DT

    触发器 1 元件 JK 型 1 位 正边沿 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）

  • 74F273SJ

    触发器 1 元件 D 型 8 位 正边沿 20-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）

  • NTZD3155CT1H

    MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 540mA，430mA 250mW 表面贴装型 SOT-563

  • 74F175SJ

    触发器 1 元件 D 型 4 位 正边沿 16-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • PCFF55H120SWF

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：二极管 - 通用，功率，开关 Power Diode Bare Die 1200V 55A GenVII Fast Recovery Diode Chip 关于onsemi osemi pcff55h120swf diode 的信息
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 产品Power Diodes
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体DIE
  • 峰值反向电压1.2 kV
  • 最大浪涌电流
  • If - 正向电流55 A
  • 配置Single
  • 恢复时间287.4 ns
  • Vf - 正向电压1.9 V
  • Ir - 反向电流10 uA
  • 最小工作温度- 40 C
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 系列PCFF55H120SWF
  • 资格
  • 封装

其它信息

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