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NCN26000XMNTBG相关型号

  • NGTB30N60IHLWG

    IGBT 沟槽型场截止 600 V 60 A 250 W 通孔 TO-247-3

  • NGTB30N120LWG

    IGBT 沟槽型场截止 1200 V 60 A 560 W 通孔 TO-247-3

  • NGTB30N120IHSWG

    IGBT 沟槽型场截止 1200 V 60 A 192 W 通孔 TO-247-3

  • NGTB30N120IHLWG

    IGBT 沟槽型场截止 1200 V 60 A 260 W 通孔 TO-247-3

  • NGTB25N120FLWG

    IGBT 沟槽型场截止 1200 V 50 A 192 W 通孔 TO-247-3

  • NCP81258MNTBG

    半桥 栅极驱动器 IC 非反相 8-DFN（2x2）

  • FDB2614

    表面贴装型 N 通道 200 V 62A（Tc） 260W（Tc） D2PAK（TO-263）

  • NGTB15N60R2FG

    IGBT 600 V 24 A 54 W 通孔 TO-220F-3FS

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NCN26000XMNTBG

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：以太网 IC 10BASE-T1S Ethernet PHY with MII interface 关于onsemi ncn26000 transceiver 的信息
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体QFN-32
  • 产品Ethernet PHYs
  • 标准10BASE-T1S
  • 数据速率10 Mb/s
  • 接口类型Ethernet
  • 电源电压-最小2.97 V
  • 电源电压-最大3.63 V
  • 最小工作温度- 40 C
  • 最大工作温度+ 125 C
  • 系列NCN26000
  • 封装Reel

其它信息

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