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NSVT1601CLTWG相关型号

  • FDS6294..

    功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 13 A, 0.0113 ohm, SOIC, 表面安装

  • NTMD4840NR2G.

    双路场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 5.5 A, 0.016 ohm, SOIC, 表面安装

  • FQP8P10.

    功率场效应管, MOSFET, P通道, 100 V, 8 A, 0.41 ohm, TO-220, 通孔

  • PCP1302-TD-H.

    场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, -3A, SOT-89-3

  • ATP114-TL-H.

    场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, -55A, ATPAK-3

  • CPH3462-TL-W.

    场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 1A, CPH-3

  • NTJS4151PT1G.

    场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 4.2A, SC-88

  • FDD6637.

    场效应管, MOSFET, P沟道, -35V, -13A

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NSVT1601CLTWG

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bipolar Transistor -160V, -1.5A PNP Low VCE(sat) PNP Single for automotive 关于onsemi nst1602cl bipolar transistor 的信息
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：3000

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详细参数

  • 技术
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体LFPAK-8
  • 晶体管极性PNP
  • 配置Single
  • 最大直流电集电极电流2.5 A
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO160 V
  • 集电极—基极电压 VCBO180 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO6 V
  • 集电极—射极饱和电压120 mV
  • Pd-功率耗散2.2 W
  • 增益带宽产品fT87 MHz
  • 最小工作温度
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 资格
  • 系列NST1601CL
  • 封装

其它信息

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