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NCV20072DR2G-23660相关型号

  • FDMS3606AS

    MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）非对称型 30V 13A，27A 1W 表面贴装型 Power56

  • 74ACT823SCX

    触发器 1 元件 D 型 9 位 正边沿 24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）

  • 74ACT574SJ

    触发器 1 元件 D 型 8 位 正边沿 20-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）

  • 74ACT273SJ

    触发器 1 元件 D 型 8 位 正边沿 20-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）

  • 74ACQ574SJ

    触发器 1 元件 D 型 8 位 正边沿 20-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）

  • NVMTS6D0N15MC

    表面贴装型 N 通道 150 V 18A（Ta），128A（Tc） 5W（Ta），237W（Tc） 8-DFNW（8.3x8.4）

  • MC74AC245DTG

    收发器，非反相 1 元件 8 位每元件 三态 Output 20-TSSOP

  • MC74VHCT244ADTG

    缓冲器，非反向 2 元件 4 位每元件 三态 Output 20-TSSOP

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NCV20072DR2G-23660

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：运算放大器 - 运放 R2R DUAL AMPLIFIER_FPCN23660ZA1
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2500

优势价格，NCV20072DR2G-23660的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 通道数量1 Channel
  • GBP-增益带宽产品3 MHz
  • SR - 转换速率2.4 V/us
  • Vos - 输入偏置电压1.3 mV
  • Ib - 输入偏流2 nA
  • 电源电压-最大36 V
  • 电源电压-最小2.7 V
  • 工作电源电流465 uA
  • 每个通道的输出电流50 mA
  • CMRR - 共模抑制比95 dB
  • en - 输入电压噪声密度30 nV/sqrt Hz
  • 封装 / 箱体SOIC-8
  • 安装风格SMD/SMT
  • 关闭No Shutdown
  • 最小工作温度- 40 C
  • 最大工作温度+ 125 C
  • 系列
  • 资格
  • 封装Reel

其它信息

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