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NCV20072DR2G-23660相关型号

  • 74LVC573AMNTWG

    通道 IC

  • 2N3772G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 60 V 20 A 200kHz 150 W 通孔 TO-204（TO-3）

  • 2SD1060R-1EX

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 50 V 5 A 30MHz 1.75 W 通孔 TO-220-3

  • BD244BG

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 80 V 6 A 3MHz 65 W 通孔 TO-220

  • 74LVC373AMNTWG

    通道 IC

  • NLV74HCT573ADWG

    D 型锁存器 1 通道 1：8 IC 三态，非反相 20-SOIC

  • 74LVC573ADTR2G

    D 型透明锁存器 1 通道 8：8 IC 三态，非反相 20-TSSOP

  • NJVMJD45H11D3T4G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 80 V 8 A 90MHz 20 W 表面贴装型 DPAK

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NCV20072DR2G-23660

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：运算放大器 - 运放 R2R DUAL AMPLIFIER_FPCN23660ZA1
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2500

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详细参数

  • 通道数量1 Channel
  • GBP-增益带宽产品3 MHz
  • SR - 转换速率2.4 V/us
  • Vos - 输入偏置电压1.3 mV
  • Ib - 输入偏流2 nA
  • 电源电压-最大36 V
  • 电源电压-最小2.7 V
  • 工作电源电流465 uA
  • 每个通道的输出电流50 mA
  • CMRR - 共模抑制比95 dB
  • en - 输入电压噪声密度30 nV/sqrt Hz
  • 封装 / 箱体SOIC-8
  • 安装风格SMD/SMT
  • 关闭No Shutdown
  • 最小工作温度- 40 C
  • 最大工作温度+ 125 C
  • 系列
  • 资格
  • 封装Reel

其它信息

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