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SZMMSZ9V1T1G相关型号

  • FDMS3606AS

    MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）非对称型 30V 13A，27A 1W 表面贴装型 Power56

  • 74ACT823SCX

    触发器 1 元件 D 型 9 位 正边沿 24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）

  • 74ACT574SJ

    触发器 1 元件 D 型 8 位 正边沿 20-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）

  • 74ACT273SJ

    触发器 1 元件 D 型 8 位 正边沿 20-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）

  • 74ACQ574SJ

    触发器 1 元件 D 型 8 位 正边沿 20-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）

  • NVMTS6D0N15MC

    表面贴装型 N 通道 150 V 18A（Ta），128A（Tc） 5W（Ta），237W（Tc） 8-DFNW（8.3x8.4）

  • MC74AC245DTG

    收发器，非反相 1 元件 8 位每元件 三态 Output 20-TSSOP

  • MC74VHCT244ADTG

    缓冲器，非反向 2 元件 4 位每元件 三态 Output 20-TSSOP

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • SZMMSZ9V1T1G

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：二极管 - 齐纳 9.1 V 500 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：107030

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带（TR）
  • 电压 - 齐纳（标称值）(Vz)9.1 V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大值500 mW
  • 阻抗（最大值）(Zzt)15 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏500 nA @ 6 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)900 mV @ 10 mA
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SOD-123
  • 供应商器件封装SOD-123

其它信息

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