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CAT5110TBI-10-T3相关型号
  • NGB18N40ACLBT4G

    NGB18N40ACLBT4G, IGBT Transistor, 18 A 430 V, 1MHz, 3-Pin D2PAK

  • NCP6334BMTAATBGOS

    onsemi 升压/降压转换器

  • NCV4299AD250R2G

    ON Semiconductor 线性稳压器, NCV4系列, 输出5 V, SOIC封装, 最大输出150mA, 表面贴装

  • NCP700BMT18TBG

    ON Semiconductor 线性稳压器, 输出1.8 V, WDFN封装, 最大输出200mA, 表面贴装

  • LC06511F9BMXTAG

    onsemi 充电控制器, 锂离子电池, 6引脚, X2DFN6封装

  • LC06511F7AMXTAG

    onsemi 充电控制器, 锂离子电池, 6引脚, -0.3 至 12.0 v, 6μA, X2DFN6封装

  • LC06511F3BMXTAG

    onsemi 充电控制器, 锂离子电池, 6引脚, X2DFN6封装

  • LC06511F6BMXTAG

    onsemi 充电控制器, 锂离子电池, 6引脚, X2DFN6封装

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • CAT5110TBI-10-T3

  • 制造商:onsemi
  • 批号:最新的
  • 描述:数字电位器 10k 欧姆 1 电路 32 抽头 上/下(U/D,CS) 接口 SOT-23-6
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:3000

优势价格,CAT5110TBI-10-T3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商 onsemi
  • 系列-
  • 包装散装
  • 零件状态停产
  • DigiKey 可编程未验证
  • 圆锥线性
  • 配置变阻器
  • 电路数1
  • 抽头数32
  • 电阻 (欧姆)10k
  • 接口上/下(U/D,CS)
  • 存储器类型-
  • 电压 - 供电2.7V ~ 5.5V
  • 特性-
  • 容差±20%
  • 温度系数(典型值)200ppm/°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-6
  • 封装/外壳SOT-23-6
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 电阻 -?触点 (欧姆)(典型值)200

其它信息

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