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NTS1045EMFST3G相关型号
  • NC7SZ125FHX-L22175

    缓冲器,非反向 1 元件 1 位每元件 三态 Output 6-UDFN(1x1)

  • FDD5N50NZFTM

    表面贴装型 N 通道 500 V 3.7A(Tc) 62.5W(Tc) TO-252AA

  • FDD6N20TM

    表面贴装型 N 通道 200 V 4.5A(Tc) 40W(Tc) TO-252AA

  • MMBF4416LT1G

    RF Mosfet N 通道 JFET SOT-23-3(TO-236)

  • FQB11N40CTM

    表面贴装型 N 通道 400 V 10.5A(Tc) 135W(Tc) D2PAK(TO-263)

  • FQB8P10TM

    表面贴装型 P 通道 100 V 8A(Tc) 3.75W(Ta),65W(Tc) D2PAK(TO-263)

  • FQD6N25TM

    表面贴装型 N 通道 250 V 4.4A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) TO-252AA

  • J310G

    RF Mosfet N 通道 JFET 10 V 10 mA 100MHz 16dB TO-92(TO-226)

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • NTS1045EMFST3G

  • 制造商:onsemi
  • 批号:最新的
  • 描述:二极管 肖特基 45 V 10A 表面贴装型 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:5000+

优势价格,NTS1045EMFST3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)
  • 二极管类型肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)45 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)10A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)600 mV @ 10 A
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏50 μA @ 45 V
  • 不同?Vr、F 时电容300pF @ 45V,1MHz
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-PowerTDFN,5 引线
  • 供应商器件封装5-DFN(5x6)(8-SOFL)
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 150°C

其它信息

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