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NCP112D相关型号

  • FDS8984

    MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 7A 1.6W 表面贴装型 8-SOIC

  • NB3V1104CMTTBG

    时钟 扇出缓冲器（分配） IC 1：4 250 MHz 8-WFDFN

  • FDC6312P

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  • FDG6306P

    MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 600mA 300mW 表面贴装型 SC-88（SC-70-6）

  • FDG6304P

    MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 25V 410mA 300mW 表面贴装型 SC-88（SC-70-6）

  • NTJD1155LT1G

    MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 8V 1.3A 400mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363

  • NTJD4152PT1G

    MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 880mA 272mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363

  • NTZD3152PT1G

    MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 430mA 250mW 表面贴装型 SOT-563

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NCP112D

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：监控器 开路漏极或开路集电极 4 通道 14-SOIC
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装管件
  • 类型多压监控器
  • 受监控电压数4
  • 电压 - 阈值3.3V，5V，12V，可调
  • 输出开路漏极或开路集电极
  • 复位高有效
  • 复位超时可调节/可选择
  • 工作温度-40°C ~ 125°C（TA）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装14-SOIC

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