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FQU2N50BTU-WS相关型号

  • NTB23N03RG

    表面贴装型 N 通道 25 V 23A（Ta） 37.5W（Tj） D2PAK

  • NTB23N03R

    表面贴装型 N 通道 25 V 23A（Ta） 37.5W（Tj） D2PAK

  • NTB18N06LG

    表面贴装型 N 通道 60 V 15A（Tc） 48.4W（Tc） D2PAK

  • NLV74VHC125DG

    缓冲器，非反向 4 元件 1 位每元件 三态 Output 14-SOIC

  • 74LVC245ADTR2G

    收发器，非反相 1 元件 8 位每元件 三态 Output 20-TSSOP

  • 74LVC240ADTR2G

    缓冲器，反向 2 元件 4 位每元件 三态 Output 20-TSSOP

  • 74LVC126ADTR2G

    缓冲器，非反向 4 元件 1 位每元件 三态 Output 14-TSSOP

  • 74LVC126ADR2G

    缓冲器，非反向 4 元件 1 位每元件 三态 Output 14-SOIC

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • FQU2N50BTU-WS

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：通孔 N 通道 500 V 1.6A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） I-PAK
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列QFET?
  • 包装管件
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）500 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.6A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）5.3 欧姆 @ 800mA，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）3.7V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）8 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）230 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）2.5W（Ta），30W（Tc）
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装I-PAK
  • 封装/外壳TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

其它信息

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