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IRF540A相关型号

  • 74ABT2240CSC

    缓冲器，反向 2 元件 4 位每元件 三态 Output 20-SOIC

  • FQI32N12V2TU

    通孔 N 通道 120 V 32A（Tc） 3.75W（Ta），150W（Tc） I2PAK（TO-262）

  • FQB14N30TM

    表面贴装型 N 通道 300 V 14.4A（Tc） 3.13W（Ta），147W（Tc） D2PAK（TO-263）

  • HUF75332S3ST

    表面贴装型 N 通道 55 V 60A（Tc） 145W（Tc） D2PAK（TO-263）

  • FQA33N10

    通孔 N 通道 100 V 36A（Tc） 163W（Tc） TO-3P

  • FQAF12P20

    通孔 P 通道 200 V 8.6A（Tc） 70W（Tc） TO-3PF

  • 74VCX2245BQX

    收发器，非反相 1 元件 8 位每元件 三态 Output 20-DQFN（2.5x4.5）

  • FQAF19N20L

    通孔 N 通道 200 V 16A（Tc） 85W（Tc） TO-3PF

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • IRF540A

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：通孔 N 通道 100 V 28A（Tc） 107W（Tc） TO-220-3
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装管件
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)28A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）52 毫欧 @ 14A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）78 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1710 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）107W（Tc）
  • 工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220-3
  • 封装/外壳TO-220-3

其它信息

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