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FDFMA2P857相关型号

  • NTB5605T4G

    表面贴装型 P 通道 60 V 18.5A（Ta） 88W（Tc） D2PAK

  • 74AC244SJX

    缓冲器，非反向 2 元件 4 位每元件 三态 Output 20-SOP

  • MM74HC245ASJX

    收发器，非反相 1 元件 8 位每元件 三态 Output 20-SOP

  • 2N7002LT3

    表面贴装型 N 通道 60 V 115mA（Tc） 225mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）

  • 2N7000RLRPG

    通孔 N 通道 60 V 200mA（Ta） 350mW（Tc） TO-92（TO-226）

  • FQH8N100C

    通孔 N 通道 1000 V 8A（Tc） 225W（Tc） TO-247-3

  • BSS138LT3

    表面贴装型 N 通道 50 V 200mA（Ta） 225mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）

  • BSS123LT3G

    表面贴装型 N 通道 100 V 170mA（Ta） 225mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • FDFMA2P857

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：表面贴装型 P 通道 20 V 3A（Ta） 1.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列PowerTrench?
  • 包装卷带（TR）
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）1.8V，4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）120 毫欧 @ 3A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）6 nC @ 4.5 V
  • Vgs（最大值）±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）435 pF @ 10 V
  • FET 功能肖特基二极管（隔离式）
  • 功率耗散（最大值）1.4W（Ta）
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装6-MicroFET（2x2）
  • 封装/外壳6-VDFN 裸露焊盘

其它信息

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