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NTHD2110TT1G相关型号

  • NLV37WZ17USG

    缓冲器，非反向 3 元件 1 位每元件 推挽式 Output US8

  • NLV74VHC125DTR2G

    缓冲器，非反向 4 元件 1 位每元件 三态 Output 14-TSSOP

  • NVMFS5C442NLT1G

    表面贴装型 N 通道 40 V 27A（Ta），127A（Tc） 3.7W（Ta），83W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）

  • NVMFS5C604NLT1G

    表面贴装型 N 通道 60 V 40A（Ta），287A（Tc） 3.9W（Ta），200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）

  • MC100EP139MNG

    IC

  • NL27WZ17DFT2G

    缓冲器，非反向 2 元件 1 位每元件 推挽式 Output SC-88/SC70-6/SOT-363

  • P3PS850BHG-08CR

    IC

  • NC7WZ07P6X

    缓冲器，非反向 2 元件 1 位每元件 开路漏极 Output SC-88（SC-70-6）

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NTHD2110TT1G

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：表面贴装型 P 通道 12 V 4.5A（Ta） 1.1W（Ta） ChipFET?
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装卷带（TR）
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）12 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.5A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）1.8V，4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）40 毫欧 @ 6.4A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）850mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）14 nC @ 4.5 V
  • Vgs（最大值）±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1072 pF @ 6 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）1.1W（Ta）
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装ChipFET?
  • 封装/外壳8-SMD，扁平引线

其它信息

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