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NTY100N10G相关型号

  • FDPF18N50T

    通孔 N 通道 500 V 18A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F-3

  • FDA16N50-F109

    通孔 N 通道 500 V 16.5A（Tc） 205W（Tc） TO-3PN

  • HUF75542P3

    通孔 N 通道 80 V 75A（Tc） 230W（Tc） TO-220-3

  • HUF75545P3

    通孔 N 通道 80 V 75A（Tc） 270W（Tc） TO-220-3

  • NTHL160N120SC1

    通孔 N 通道 1200 V 17A（Tc） 119W（Tc） TO-247-3

  • FCH041N60E

    通孔 N 通道 600 V 77A（Tc） 592W（Tc） TO-247-3

  • NVHL072N65S3

    通孔 N 通道 650 V 44A（Tc） 312W（Tc） TO-247-3

  • FCP220N80

    通孔 N 通道 800 V 23A（Tc） 278W（Tc） TO-220-3

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NTY100N10G

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：通孔 N 通道 100 V 123A（Tc） 313W（Tc） TO-264
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装管件
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)123A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）10 毫欧 @ 50A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）350 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）10110 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）313W（Tc）
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-264
  • 封装/外壳TO-264-3，TO-264AA

其它信息

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