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NTD65N03R相关型号

  • MC74AC125DTR2G

    缓冲器，非反向 4 元件 1 位每元件 三态 Output 14-TSSOP

  • MC74LVX125DTR2G

    缓冲器，非反向 4 元件 1 位每元件 三态 Output 14-TSSOP

  • NTTFS034N15MC

    表面贴装型 N 通道 150 V 6.2A（Ta），27A（Tc） 1.2W（Ta），53.6W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3）

  • FQPF4N90C

    通孔 N 通道 900 V 4A（Tc） 47W（Tc） TO-220F-3

  • NVMFS5C423NLWFAFT3G

    表面贴装型 N 通道 40 V 31A（Ta），150A（Tc） 3.7W（Ta），83W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）

  • 74LCX126MTCX

    缓冲器，非反向 4 元件 1 位每元件 三态 Output 14-TSSOP

  • MC74LCX07DTR2G

    缓冲器，非反向 6 元件 1 位每元件 开路漏极 Output 14-TSSOP

  • MC74AC273DWG

    触发器 1 元件 D 型 8 位 正边沿 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NTD65N03R

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：表面贴装型 N 通道 25 V 9.5A（Ta），32A（Tc） 1.3W（Ta），50W（Tc） DPAK
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装管件
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）25 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)9.5A（Ta），32A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）8.4 毫欧 @ 30A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）16 nC @ 5 V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1400 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）1.3W（Ta），50W（Tc）
  • 工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DPAK
  • 封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

其它信息

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