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HUFA76445S3ST相关型号

  • NDB7050L

    表面贴装型 N 通道 50 V 75A（Tc） D2PAK（TO-263）

  • NDB7050

    表面贴装型 N 通道 50 V 75A（Tc） D2PAK（TO-263）

  • NDB6060

    表面贴装型 N 通道 60 V 48A（Tc） 100W（Tc） D2PAK（TO-263）

  • NDB603AL

    表面贴装型 N 通道 30 V 25A（Tc） 50W（Tc） D2PAK（TO-263）

  • NLV74VHC126DR2G

    缓冲器，非反向 4 元件 1 位每元件 三态 Output 14-SOIC

  • NLV74VHC125DR2G

    缓冲器，非反向 4 元件 1 位每元件 三态 Output 14-SOIC

  • NLV74VHC126DTR2G

    缓冲器，非反向 4 元件 1 位每元件 三态 Output 14-TSSOP

  • MC74HCT365ADR2G

    缓冲器，非反向 1 元件 6 位每元件 三态 Output 16-SOIC

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • HUFA76445S3ST

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：表面贴装型 N 通道 60 V 75A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263）
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列UltraFET?
  • 包装卷带（TR）
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)75A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）6.5 毫欧 @ 75A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）150 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±16V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）4965 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）310W（Tc）
  • 工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装D2PAK（TO-263）
  • 封装/外壳TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

其它信息

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