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ISL9N303AS3相关型号

  • 1N4735A_T50R

    Zener Diode Single 6.2V 5% 2Ohm 1000mW 2-Pin DO-41 T/R

  • 1N4739A_T50A

    Zener Diode Single 9.1V 5% 5Ohm 1000mW 2-Pin DO-41 Ammo

  • 1N4749A_T50A

    Zener Diode Single 24V 5% 25Ohm 1000mW 2-Pin DO-41 Ammo

  • 1N4742A_T50A

    Zener Diode Single 12V 5% 9Ohm 1000mW 2-Pin DO-41 Ammo

  • 1N4751A_T50A

    Zener Diode Single 30V 5% 40Ohm 1000mW 2-Pin DO-41 Ammo

  • LM2903D

    Comparator Dual ±18V/36V 8-Pin SOIC N Rail

  • LM339D

    Comparator Quad ±18V/36V 14-Pin SOIC Tube

  • LM239ADG

    Comparator Quad ±18V/36V 14-Pin SOIC Rail

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • ISL9N303AS3

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：通孔 N 通道 30 V 75A（Tc） 215W（Tc） I2PAK（TO-262）
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列UltraFET?
  • 包装管件
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)75A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）3.2 毫欧 @ 75A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）172 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）7000 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）215W（Tc）
  • 工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装I2PAK（TO-262）
  • 封装/外壳TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA

其它信息

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