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FQH90N15相关型号

  • BD13610STU

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 45 V 1.5 A 1.25 W 通孔 TO-126-3

  • 2SB1201S-TL-E

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  • MJD42CRLG

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  • KSP44BU

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 400 V 300 mA 625 mW 通孔 TO-92-3

  • KSA708YBU

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 60 V 700 mA 50MHz 800 mW 通孔 TO-92-3

  • MJD31T4G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 3 A 3MHz 1.56 W 表面贴装型 DPAK

  • 2SA1418S-TD-E

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 160 V 700 mA 120MHz 500 mW 表面贴装型 PCP

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • FQH90N15

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：通孔 N 通道 150 V 90A（Tc） 375W（Tc） TO-247-3
  • PDF下载：
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列QFET?
  • 包装管件
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）150 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)90A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）18 毫欧 @ 45A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）285 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）8700 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）375W（Tc）
  • 工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247-3
  • 封装/外壳TO-247-3

其它信息

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