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NCP1377BDR2G相关型号
  • NDC7002N

    MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 50V 510mA 700mW 表面贴装型 SuperSOT?-6

  • 2N7002DW

    MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 60V 115mA 200mW 表面贴装型 SC-88(SC-70-6)

  • FDG6303N

    MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 25V 500mA 300mW 表面贴装型 SC-88(SC-70-6)

  • NTJD4105CT1G

    MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V,8V 630mA,775mA 270mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363

  • NTZD5110NT1G

    MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 60V 294mA 250mW 表面贴装型 SOT-563

  • FDMQ8403

    MOSFET - 阵列 4 N 沟道(半桥) 100V 3.1A 1.9W 表面贴装型 12-MLP(5x4.5)

  • FDMQ86530L

    MOSFET - 阵列 4 N 沟道(半桥) 60V 8A 1.9W 表面贴装型 12-MLP(5x4.5)

  • NB6L14MMNG

    时钟 扇出缓冲器(分配) IC 1:4 3 GHz 16-VFQFN 裸露焊盘

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • NCP1377BDR2G

  • 制造商:onsemi
  • 批号:最新的
  • 描述:离线转换器 反激 拓扑 最高 300kHz 8-SOIC
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:5000+

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 输出隔离隔离
  • 内部开关
  • 电压 - 击穿-
  • 拓扑反激
  • 电压 - 启动12.5 V
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)7.5V ~ 18V
  • 占空比-
  • 频率 - 开关最高 300kHz
  • 故障保护限流,超温,过压
  • 控制特性-
  • 工作温度-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC
  • 安装类型表面贴装型

其它信息

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