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VN2410LG相关型号
  • TIP111TU

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN - 达林顿 80 V 2 A 2 W 通孔 TO-220-3

  • KSD880Y

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 60 V 3 A 3MHz 30 W 通孔 TO-220-3

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    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 60 V 3 A 3MHz 25 W 通孔 TO-220F-3

  • TIP41A

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 60 V 6 A 3MHz 2 W 通孔 TO-220-3

  • TIP41C

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 100 V 6 A 3MHz 65 W 通孔 TO-220-3

  • TIP112

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN - 达林顿 100 V 2 A 2 W 通孔 TO-220-3

  • KSD2012YYDTU

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 60 V 3 A 3MHz 25 W 通孔 TO-220F-3(Y 型)

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • VN2410LG

  • 制造商:onsemi
  • 批号:最新的
  • 描述:通孔 N 通道 240 V 200mA(Ta) 350mW(Tc) TO-92(TO-226)
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:5000+

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装散装
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)240 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)200mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)10 欧姆 @ 500mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 1mA
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)125 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)350mW(Tc)
  • 工作温度-
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-92(TO-226)
  • 封装/外壳TO-226-3,TO-92-3 长体

其它信息

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