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FDN361AN相关型号

  • MMUN2237LT1G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 246 mW 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）

  • MJF31C

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 100 V 3 A 3MHz 2 W 通孔 TO-220FP

  • MJF2955

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 90 V 10 A 2MHz 2 W 通孔 TO-220FP

  • MJE703

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP - 达林顿 80 V 4 A 40 W 通孔 TO-126

  • MJE5731

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 350 V 1 A 10MHz 40 W 通孔 TO-220

  • MJE271G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP - 达林顿 100 V 2 A 6MHz 1.5 W 通孔 TO-126

  • NSBC124EF3T5G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 254 mW 表面贴装型 SOT-1123

  • MJE271

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP - 达林顿 100 V 2 A 6MHz 1.5 W 通孔 TO-126

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • FDN361AN

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：表面贴装型 N 通道 30 V 1.8A（Ta） 500mW（Ta） SOT-23-3
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列PowerTrench?
  • 包装卷带（TR）
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.8A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）100 毫欧 @ 1.8A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）4 nC @ 5 V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）220 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）500mW（Ta）
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-3
  • 封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

其它信息

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