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NTD60N03-001相关型号

  • FDMS3606AS

    MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）非对称型 30V 13A，27A 1W 表面贴装型 Power56

  • 74ACT823SCX

    触发器 1 元件 D 型 9 位 正边沿 24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）

  • 74ACT574SJ

    触发器 1 元件 D 型 8 位 正边沿 20-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）

  • 74ACT273SJ

    触发器 1 元件 D 型 8 位 正边沿 20-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）

  • 74ACQ574SJ

    触发器 1 元件 D 型 8 位 正边沿 20-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）

  • NVMTS6D0N15MC

    表面贴装型 N 通道 150 V 18A（Ta），128A（Tc） 5W（Ta），237W（Tc） 8-DFNW（8.3x8.4）

  • MC74AC245DTG

    收发器，非反相 1 元件 8 位每元件 三态 Output 20-TSSOP

  • MC74VHCT244ADTG

    缓冲器，非反向 2 元件 4 位每元件 三态 Output 20-TSSOP

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NTD60N03-001

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：通孔 N 通道 28 V 60A（Tc） 75W（Tc） I-PAK
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

优势价格，NTD60N03-001的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装管件
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）28 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)60A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）7.5 毫欧 @ 30A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）30 nC @ 4.5 V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）2150 pF @ 24 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）75W（Tc）
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装I-PAK
  • 封装/外壳TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

其它信息

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